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MMBTH10

更新时间: 2024-02-27 22:52:58
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桂微 - GSME 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 292K
描述
SOT-23

MMBTH10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:0.52
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:0.7 pF
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.225 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):650 MHz
Base Number Matches:1

MMBTH10 数据手册

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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
MMBTH10  
MAXIMUM RATINGS 最大額定值  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Rating  
額定值  
Unit  
單位  
Collector-Emitter Voltage  
集電極發射極電壓  
VCEO  
VCBO  
25  
30  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
集電極基極電壓  
Emitter-Base Voltage  
發射極基極電壓  
VEBO  
Vdc  
3.0  
50  
Collector Current-Continuous  
集電極電流-連續  
Ic  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Max  
最大值  
Unit 單位  
P
Total Device Dissipation 總耗散功率  
FR-5 Board(1)  
D
225  
mW  
T =25℃環境溫度爲 25℃  
A
1.8  
mW/℃  
Derate above25℃ 超過 25℃遞減  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
熱阻  
RΘ  
556  
/W  
JA  
Junction and Storage Temperature  
結溫和儲存溫度  
TJ,Tstg  
-55to+150℃  
DEVICE MARKING 打標  
MMBTH10=3EM  

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