5秒后页面跳转
GMS2302 PDF预览

GMS2302

更新时间: 2022-02-26 14:45:05
品牌 Logo 应用领域
桂微 - GSME /
页数 文件大小 规格书
3页 301K
描述
N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

GMS2302 数据手册

 浏览型号GMS2302的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GMS2302的Datasheet PDF文件第3页 
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GMS2302  
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)  
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs  
N 沟道增强型 MOS 场效应管  
MAXIMUM RATINGS 最大額定值  
Characteristic 特性參數  
Symbol 符號  
Max 最大值  
Unit 單位  
Drain-Source Voltage  
漏極-源極電壓  
BVDSS  
VGS  
ID  
16  
+8  
2.6  
10  
V
V
A
A
Gate- Source Voltage  
栅極-源極電壓  
Drain Current (continuous)  
漏極電流-連續  
Drain Current (pulsed)  
漏極電流-脉冲  
IDM  
Total Device Dissipation  
總耗散功率  
P
450  
mW  
D
T =25℃環境溫度爲 25℃  
A
TJ  
Junction 結溫  
150  
Tstg  
Storage Temperature 儲存溫度  
-55to+150  
DEVICE MARKING 打標  
GMS2302=A2  

与GMS2302相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GMS24C VISHAY Transient Suppressor,

获取价格

GMS24C/G1 VISHAY Transient Suppressor,

获取价格

GMS24C/G2 VISHAY Transient Suppressor,

获取价格

GMS30000EVA HYNIX 4-BIT SINGLE CHIP MICROCOMPUTERS

获取价格

GMS30004 HYNIX 4-BIT SINGLE CHIP MICROCOMPUTERS

获取价格

GMS30004-XXX HYNIX Microcontroller, 4-Bit, MROM, 1MHz, CMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16

获取价格