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GMD596

更新时间： 2022-02-26 14:45:05

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桂微 - GSME		/
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NPN Low Frequency Amplifier Transistor

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GMD596 数据手册

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GMD596

■FEATURES 特點

NPN Low Frequency Amplifier Transistor

■MAXIMUM RATINGS (T =25℃) 最大額定值

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Rating

額定值

Unit

單位

Collector-Base Voltage

集電極-基極電壓

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Collector-Emitter Voltage

集電極-發射極電壓

Emitter-Base Voltage

發射極-基極電壓

Collector Current-Continuous

集電極電流-連續

700

℃

Collector Power Dissipation

集電極耗散功率

P_C

225

Junction Temperature

結溫

T_j

150

Storage Temperature Range

儲存溫度

T_stg

-55〜150

℃

■DEVICE MARKING 打標

GMD596(2SD596)

MARK

H_FE1

DV1

DV2

135~220

DV3

DV4

200~320

DV5

250~400

110~180

170~270

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