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GMBAS70

更新时间： 2022-11-06 05:14:02

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桂微 - GSME		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	615K
描述
SCHOTTKY DIODE

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GMBAS70 数据手册

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GMBAS70

SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管(BAS70)

▉FEATURES 特點

Characteristic 特性參數

Symbol 符號

Max 最大值

Unit 單位

Power dissipation 耗散功率

Forward Current 正向電流

Reverse Voltage 反向電壓

PD(Ta=25℃)

225

I_F

V_R

Junction and Storage Temperature

結溫和儲藏溫度

T_J,T_stg

-55to+150℃

▉DEVICE MARKING 打標

BAS70=BE

▉ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性

(T =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Min

最小值

Max

最大值

Unit

單位

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓

(IR=10uA)

—

(BR)

Reverse Leakage Current 反向漏電流

(VR=50V)

(VR=70V)

0.1

Forward Voltage(Test Condition)正向電壓

I_F= 1mAdc

I_F= 10mAdc

I_F= 15mAdc

410

750

1000

—

Diode Capacitance 二極體電容

(V_R=1V, f=1MHz)

Reverse Recovery Time 反向恢復時間

—

▉SOT-23 内部结构

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GMBAT54	GSME	SCHOTTKY DIODE	获取价格
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