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GMBAS70-04

更新时间: 2022-11-06 05:14:11
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桂微 - GSME 肖特基二极管
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2页 615K
描述
SCHOTTKY DIODE

GMBAS70-04 数据手册

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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GMBAS70-04  
SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管(BAS70-04)  
FEATURES 特點  
Characteristic 特性參數  
Symbol 符號  
Max 最大值  
Unit 單位  
Power dissipation 耗散功率  
Forward Current 正向電流  
Reverse Voltage 反向電壓  
PD(Ta=25)  
225  
70  
mW  
mA  
V
IF  
VR  
70  
Junction and Storage Temperature  
結溫和儲藏溫度  
TJ,Tstg  
-55to+150℃  
DEVICE MARKING 打標  
BAS70-04=CG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性  
(T =25unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25)  
A
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Min  
最小值  
Max  
最大值  
Unit  
單位  
Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓  
(IR=10uA)  
V
70  
V
(BR)  
Reverse Leakage Current 反向漏電流  
(VR=50V)  
(VR=70V)  
0.1  
10  
IR  
uA  
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓  
IF= 1mAdc  
IF= 10mAdc  
IF= 15mAdc  
410  
750  
V
mV  
F
1000  
Diode Capacitance 二極體電容  
(VR=1V, f=1MHz)  
C
2
5
pF  
nS  
D
Reverse Recovery Time 反向恢復時間  
SOT-23 内部结构  
T
rr  

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