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GMA812

更新时间： 2022-02-26 14:45:04

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PNP General Purpose Transistor

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GMA812 数据手册

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桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GMA812(销售型號 2SA812)

■FEATURES 特點

PNP General Purpose Transistor

■MAXIMUM RATINGS 最大額定值

Characteristic 特性參數

Symbol 符號

Rating 額定值

Unit 單位

Collector-Emitter Voltage

集電極-發射極電壓

V_CEO

-50

Vdc

Collector-Base Voltage

集電極-基極電壓

V_CBO

V_EBO

Ic

Vdc

Vdc

-60

-5.0

-100

Emitter-Base Voltage

發射極-基極電壓

Collector Current—Continuous

集電極電流-連續

mAdc

■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Max

最大值

Unit

單位

Total Device Dissipation 總耗散功率

FR-5 Board(1)

P

225

mW

D

^T=^{25℃環境溫度爲 25℃}

A

1.8

mW/℃

Derate above25℃ 超過 25℃遞減

Total Device Dissipation 總耗散功率

300

mW

P

D

Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)T =25℃

A

Derate above25℃ 超過 25℃遞減

2.4

mW/℃

℃/W

Thermal Resistance Junction to Ambient

熱阻

R

_ΘJA

417

Junction and Storage Temperature

結溫和儲存溫度

T_J,T_stg

-55to+150℃

12

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