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GM856

更新时间： 2022-02-26 14:16:20

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桂微 - GSME		/
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3页	362K
描述
PNP General Purpose Transistor

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GM856 数据手册

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GM856,857,858(销售型號 BC856,857,858)

■FEATURES 特點

PNP General Purpose Transistor

■MAXIMUM RATINGS 最大額定值

Characteristic

特性參數

Symbol GM856A,B

GM857A,B,C

GM858A,B,C

Unit

符號

(BC856A,B) (BC857A,B,C) (BC858A,B,C) 單位

Collector-Emitter Voltage

集電極發射極電壓

V_CEO

-65

-80

-5.0

-45

-50

-5.0

-30

-5.0

Vdc

Collector-Base Voltage

集電極基極電壓

V_CBO

V_EBO

Emitter-Base Voltage

發射極基極電壓

Collector Current Continuous

-100

mAdc

集電極電流-連續

■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性

Characteristic 特性參數

Symbol 符號 Max 最大值

Unit 單位

Total Device Dissipation 總耗散功率

FR-5 Board(1)

225

^T=²⁵^℃溫度爲²⁵^℃

1.8

mW/℃

Derate above25℃ 超過 25℃ 遞減

Total Device Dissipation 總耗散功率

300

^{Alumina Substrate}^{氧化鋁襯底}^,(2)T=²⁵^℃

Derate above25℃ 超過 25℃遞減

2.4

mW/℃

℃/W

_ΘJA

Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻

417

Junction and Storage Temperature

結溫和儲存溫度

T_J,T_stg

-55to+150

℃

■DEVICE MARKING 打標

GM856A(BC856A)=3A;GM856B(BC856B)=3B;

GM857A(BC857A)=3E;GM857B(BC857B)=3F;GM857C(BC857C)=3G

GM858A(BC858A)=3J; GM858B(BC858B)=3K;GM858C(BC858C)=3L

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