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GM8205

更新时间： 2022-02-26 14:16:20

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桂微 - GSME		/
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描述
Dual N-channel 20V, SOT-26 MOSFET

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GM8205 数据手册

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GM8205

Dual N-channel 20V, SOT-26 MOSFET 双 N-溝道場效應管

▉Features 特點

Low on-resistance and maximum DC current capability 低導通電阻和最大直流電流能力

Super high density cell design 超高元胞密度設計

R_DS(ON)<35mΩ@VGS=4.5V

R_DS(ON)<48mΩ@VGS=2.5V

▉Applications 應用

Power Management in Note book 筆記本電源管理

Portable Equipment 便攜式設備

Battery Powered System 電池電源系統

DC/DC Converter 直流/直流变换

Load Switch 負載開關應用

▉Internal Schematic Diagram 內部結構

▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值

Characteristic 特性參數

Symbol 符號

BV_DSS

Max 最大值 Unit 單位

Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓

Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓

V_GS

I_D

Drain Current (continuous)漏極電流-連續

Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲

Total Device Dissipation 總耗散功率

Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻

5.0

I_DM

P_TOT

1.25

100

_ΘJA

℃/W

T_J,T_stg

Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度

-55~150

℃

12 3

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