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GM7002

更新时间: 2022-03-29 22:07:43
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桂微 - GSME /
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3页 272K
描述
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

GM7002 数据手册

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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GM7002  
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)  
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs  
N 沟道增强型 MOS 场效应管  
MAXIMUM RATINGS 最大額定值  
Characteristic 特性參數  
Symbol 符號  
BVDSS  
VGS  
Max 最大值  
Unit 單位  
Drain-Source Voltage  
漏極-源極電壓  
60  
V
V
Gate- Source Voltage  
栅極-源極電壓  
+20  
115  
800  
Drain Current(continuous)  
漏極電流-連續  
IDR  
mA  
mA  
Drain Current(pulsed)  
漏極電流-脉冲  
IDRM  
THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性  
Characteristic 特性  
Symbol  
符號  
Max  
最大值  
Unit  
單位  
P
D
Total Device Dissipation 總耗散功率  
225  
mW  
T =25℃環境溫度爲 25℃  
A
Derate above25℃ 超過 25℃遞減  
1.8  
mW/℃  
/W  
RΘ  
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻  
417  
JA  
Junction and Storage Temperature  
結溫和儲存溫度  
TJ,Tstg  
150,-55to+150℃  

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