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GM7002_15

更新时间： 2022-02-26 14:16:20

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SOT-23 Field Effect Transistors

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GM7002_15 数据手册

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GM7002

SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)

N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

N 沟道增强型 MOS 场效应管

■MAXIMUM RATINGS 最大額定值

Characteristic 特性參數

Symbol 符號

Max 最大值

Unit 單位

Drain-Source Voltage

漏極-源極電壓

BV_DSS

V_GS

Gate- Source Voltage

栅極-源極電壓

+20

115

800

Drain Current_-continuous

漏極電流-連續

I_DR

Drain Current-pulsed

漏極電流-脉冲

I_DRM

■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性

Characteristic 特性

Symbol

符號

Max

最大值

Unit

單位

Total Device Dissipation 總耗散功率

225

T =25℃環境溫度爲 25℃

Derate above25℃ 超過 25℃遞減

1.8

mW/℃

R_Θ

Thermal Resistance Junction to Ambient

417

℃

熱阻

Junction and Storage Temperature

結溫和儲存溫度

T_J,T_stg

150℃,-55to+150℃

12 3

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