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GM6411

更新时间： 2022-11-06 05:12:15
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桂微 - GSME 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
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描述
SCHOTTKY DIODE

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GM6411 数据手册

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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GM6411  
SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管  
▉FEATURES 特點  
Characteristic 特性參數  
Symbol 符號  
Max 最大值  
Unit 單位  
Power dissipation 耗散功率  
Forward Current 正向電流  
Reverse Voltage 反向電壓  
PD(Ta=25℃)  
225  
500  
20  
mW  
mA  
V
IF  
VR  
Junction and Storage Temperature  
結溫和儲藏溫度  
TJ,Tstg  
125℃,-40to+150℃  
▉DEVICE MARKING 打標  
GM6411=D2E·  
▉ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性  
(T =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)  
A
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Min  
最小值  
Max  
最大值  
Unit  
單位  
Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓  
(IR=600uA)  
—
50  
V
20  
—
V
(BR)  
IR  
Reverse Leakage Current 反向漏電流  
(VR=20V)  
uA  
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓  
230  
280  
320  
480  
IF= 10mAdc  
IF= 50mAdc  
IF= 100mAdc  
IF=500mAdc  
V
mV  
pF  
F
—
—
Diode Capacitance 二極體電容  
(VR=10V, f=1MHz)  
C
20  
D
▉SOT-23 内部结构  
12

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