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GM2321

更新时间: 2022-11-06 05:00:49
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桂微 - GSME /
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3页 299K
描述
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

GM2321 数据手册

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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GM2321  
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)  
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs  
P 沟道增强型 MOS 场效应管  
MAXIMUM RATINGS 最大額定值  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Max  
最大值  
Unit  
單位  
Drain-Source Voltage  
漏極-源極電壓  
BVDSS  
VGS  
ID  
-20  
+10  
-2.8  
-10  
V
V
A
A
Gate- Source Voltage  
栅極-源極電壓  
Drain Current (continuous)  
漏極電流-連續  
Drain Current (pulsed)  
漏極電流-脉冲  
IDM  
Total Device Dissipation  
總耗散功率  
P
550  
mW  
D
T =25℃環境溫度爲 25℃  
A
TJ  
Junction 結溫  
150  
Tstg  
Storage Temperature 儲存溫度  
-55to+150  
DEVICE MARKING 打標  
GM2321=A1  

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