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GM2302

更新时间： 2022-02-26 14:16:19

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桂微 - GSME		/
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SOT-23 Field Effect Transistors)

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GM2302 数据手册

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GM2302

SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)

N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

N 沟道增强型 MOS 场效应管

■MAXIMUM RATINGS 最大額定值

Characteristic 特性參數

Symbol 符號

Max 最大值

Unit 單位

Drain-Source Voltage

漏極-源極電壓

BV_DSS

V_GS

I_D

+10

3.5

Gate- Source Voltage

栅極-源極電壓

Drain Current (continuous)

漏極電流-連續

Drain Current (pulsed)

漏極電流-脉冲

I_DM

Total Device Dissipation

總耗散功率

1000

T =25℃環境溫度爲 25℃

T_J

Junction 結溫

150

℃

T_stg

Storage Temperature 儲存溫度

-55to+150

■DEVICE MARKING 打標

GM2302=A2

12 3

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与GM2302相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GM2306	GTM	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
GM2306A	GTM	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
GM2308	GTM	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
GM2310	GTM	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
GM2321	GSME	P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs	获取价格