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GM2301

更新时间: 2022-03-30 03:12:45
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桂微 - GSME /
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3页 317K
描述
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

GM2301 数据手册

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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GM2301  
SOT-23 (SOT-23 Field Effect Trans istor s)  
P-Chan nel Enhna cement-Mdo e MOS FETs  
P 强 型 MOS 应  
MAXIMUM RATINGS 額 值  
Cha racteristic  
數  
Symlob  
符  
Max  
最  
Uin t  
單  
Drain-Sour ce Voltage  
漏極-源壓  
BVDSS  
VGS  
ID  
-02  
+01  
-.28  
V
V
A
A
Gate- Sour ce Voltage  
栅極-源壓  
Drain Cur rent (cont ionus  
)
流  
Drain Cur rent (lup se)d  
流 -冲  
-續  
IDM  
-01  
Total Devi ce Dissiap tino  
率  
P
05  
mW  
D
T =25 爲  
52 ℃  
A
TJ  
Junc tion 溫  
051  
Tstg  
Stor age Temep ratru e 度  
-t5 +o 51 0  
DEVICE MARKING 打  
2301  
GM  
=A1  

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