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GSIB2060N-M3/45

更新时间： 2024-11-07 14:37:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

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GSIB2060N-M3/45 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.18
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：600 V
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：240 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：600 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

GSIB2060N-M3/45 数据手册

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GSIB2020N, GSIB2040N, GSIB2060N, GSIB2080N  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers  
FEATURES  
• UL recognition file number E54214  
• Thin single in-Iine package  
• Glass passivated chip junction  
• High surge current capability  
• High case dielectric strength of 2500 VRMS  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
~
~
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Case Style GSIB-5S  
~
~
TYPICAL APPLICATIONS  
General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification  
for switching power supply, home appliances, office  
equipment, industrial automation applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
Case: GSIB-5S  
Package  
GSIB-5S  
20 A  
IF(AV)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
VRRM  
IFSM  
200 V, 400 V, 600 V, 800 V  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
240 A  
10 μA  
1.0 V  
commercial grade  
IR  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 7.5 A  
TJ max.  
150 °C  
In-Line  
Diode variations  
Polarity: As marked on body  
Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 in-lbs) maximum  
Recommended Torque: 5.7 cm-kg (5 in-lbs)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL GSIB2020N GSIB2040N GSIB2060N GSIB2080N  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
(1)  
T
C = 87 °C  
IF(AV)  
20  
Maximum average forward rectified  
output current at  
A
A
(2)  
TA = 25 °C  
IF(AV)  
3.5  
Peak forward surge current single sine-wave  
IFSM  
240  
240  
superimposed on rated load  
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
I2t  
A2s  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Notes  
(1)  
Unit case mounted on aluminum plate heatsink  
Units mounted on PCB without heatsink  
(2)  
Revision: 26-Jun-13  
Document Number: 89388  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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