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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.79 | 最小击穿电压： | 5 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 100 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 参考标准： | IEC-61000-4-2 | 最大重复峰值反向电压： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GSF05A20 | NIEC |
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FRD - Low Forward Voltage Drop |
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| GSF05A20 | KYOCERA AVX |
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Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as genera |
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| GSF05A20B | NIEC |
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FRD - Low Forward Voltage Drop |
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| GSF05A40 | NIEC |
获取价格 |
FRD - Low Forward Voltage Drop |
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| GSF05A40 | KYOCERA AVX |
获取价格 |
Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as genera |
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| GSF05A40B | NIEC |
获取价格 |
FRD - Low Forward Voltage Drop |
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| GSF05A60 | NIEC |
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FRD - Low Forward Voltage Drop |
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| GSF05A60B | NIEC |
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FRD - Low Forward Voltage Drop |
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| GSF05B60 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, |
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| GSF05F60 | KYOCERA AVX |
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Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as genera |
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