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GSD103ATW

更新时间： 2024-09-28 20:09:55

品牌	Logo	应用领域
固锝 - GOOD-ARK		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	351K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.175A, 40V V(RRM), Silicon,

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GSD103ATW 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.75
配置：	SEPARATE, 3 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.175 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.01 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GSD103ATW 数据手册

GSD103ATW

Schottky Barrier Diode

Features

Low Forward Voltage Drop

Guard Ring Construction for Transient Protection

Fast Switching

SOT-363

Low Leakage Current

Maximum Ratings and Electrical Characteristics (Single Diode ꢀT_ꢁꢂꢃꢄꢅCꢆ

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Peak Repetitive Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

RMS Reverse Voltage

V_R(RMS)

I_FM

350

175

Forward Continuous Current

Average Rectified Current

Repetitive Peak Forward Current @t≤10ms

Power Dissipation

I_O

I_FSM

200

500

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Junction Temperature

R_θJA

125

°C

Storage Temperature

T_STG

-55~+150

Electrical Ratings ꢇT_A=25ꢅC unleꢈꢈ otꢉerwꢊꢈe ꢈꢋeꢌꢊꢍꢊedꢆ

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

Reverse Breakdown Voltage

V _(BR)

I_R=100μA

0.37

0.50

I_F=20mA

I_F=100mA

Forward Voltage

V_F

2.0

5.0

V_R=10V

I_R

C_T

t_rr

μA

Reverse Current

V_R=30V

Capacitance Between Terminals

Reverse Recovery Time

_R=0V,f=1.0MHz

I_F=I_R=200mA

Irr=0.1XI_R,R_L=100Ω

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