是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.72 | 最长访问时间: | 5 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 9437184 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX18 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS88118BD-300IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
GS88118BD-300T | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
GS88118BD-333 | GSI |
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512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88118BD-333I | GSI |
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512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88118BD-333IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
GS88118BD-333T | GSI |
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暂无描述 | |
GS88118BGD-150 | GSI |
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512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88118BGD-150I | GSI |
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512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88118BGD-150IV | GSI |
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512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs | |
GS88118BGD-150T | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-16 |