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GS8662T19BGD-350

更新时间： 2024-11-07 13:48:11

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GSI		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	433K
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165 BGA

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GS8662T19BGD-350 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA,
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	5.43
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	长度：	15 mm
内存密度：	75497472 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

GS8662T19BGD-350 数据手册

GS8662T07/10/19/37BD-450/400/350/333/300

72Mb SigmaDDR-II+^TM

Burst of 2 SRAM

450 MHz–300 MHz

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1.8 V V

1.8 V or 1.5 V I/O

SRAMs. The GS8662T07/10/19/37BD SigmaDDR-II+

Features

• 2.0 Clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaDDR™ Interface

• Common I/O bus

• JEDEC-standard pinout and package

• Double Data Rate interface

SRAMs are just one element in a family of low power, low

voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds

needed to implement economical high performance

networking systems.

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 2 Read and Write

Clocking and Addressing Schemes

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) inputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

• Pipelined read operation with self-timed Late Write

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

The GS8662T07/10/19/37BD SigmaDDR-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

Each internal read and write operation in a SigmaDDR-II+ B2

RAM is two times wider than the device I/O bus. An input data

bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data before

it is simultaneously written to the memory array. An output

data multiplexer is used to capture the data produced from a

single memory array read and then route it to the appropriate

output drivers as needed. Therefore, the address field of a

SigmaDDR-II+ B2 RAM is always one address pin less than

the advertised index depth (e.g., the 8M x 8 has an 4M

addressable index).

SigmaDDR™ Family Overview

The GS8662T07/10/19/37BD are built in compliance with the

SigmaDDR-II+ SRAM pinout standard for Common I/O

synchronous SRAMs. They are 75,497,472-bit (72Mb)

Parameter Synopsis

-450

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

2.86 ns

0.45 ns

-333

-300

tKHKH

tKHQV

2.22 ns

0.45 ns

3.0 ns

0.45 ns

3.3 ns

0.45 ns

Rev: 1.02b 11/2011

1/29

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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