Datasheet > GS8662T19BD-375

GS8662T19BD-375

更新时间： 2024-09-17 10:21:51

品牌	Logo	应用领域
GSI		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	1220K
描述
DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GS8662T19BD-375 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.71	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e0	长度：	15 mm
内存密度：	75497472 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm

GS8662T19BD-375 数据手册

Preliminary

GS8662T07/10/19/37BD-450/400/350/333/300

72Mb SigmaDDR-II+^TM

Burst of 2 SRAM

450 MHz–300 MHz

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1.8 V V

1.8 V or 1.5 V I/O

Features

• 2.0 Clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaDDR™ Interface

• Common I/O bus

• JEDEC-standard pinout and package

• Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 2 Read and Write

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) inputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

• Pipelined read operation with self-timed Late Write

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

Bottom View

165-Bump, 13 mm x 15 mm BGA

1 mm Bump Pitch, 11 x 15 Bump Array

SigmaDDR™ Family Overview

Clocking and Addressing Schemes

The GS8662T07/10/19/37BD are built in compliance with the

SigmaDDR-II+ SRAM pinout standard for Common I/O

synchronous SRAMs. They are 75,497,472-bit (72Mb)

SRAMs. The GS8662T07/10/19/37BD SigmaDDR-II+

SRAMs are just one element in a family of low power, low

voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds

needed to implement economical high performance

networking systems.

The GS8662T07/10/19/37BD SigmaDDR-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

Because Common I/O SigmaDDR-II+ RAMs always transfer

data in two packets, A0 is internally set to 0 for the first read

or write transfer, and automatically incremented by 1 for the

next transfer. Because the LSB is tied off internally, the

address field of a SigmaDDR-II+ B2 RAM is always one

address pin less than the advertised index depth (e.g., the 4M x

18 has a 2M addressable index).

Parameter Synopsis

-450

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

2.86 ns

0.45 ns

-333

-300

tKHKH

tKHQV

2.22 ns

0.45 ns

3.0 ns

0.45 ns

3.3 ns

0.45 ns

Rev: 1.01 11/2010

1/32

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...32

中文翻译

下载PDF

与GS8662T19BD-375相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS8662T19BD-375I	GSI	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS8662T19BD-375IT	GSI	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS8662T19BD-375T	GSI	获取价格	DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS8662T19BD-400	GSI	获取价格	165 BGA
GS8662T19BD-400I	GSI	获取价格	165 BGA
GS8662T19BD-450	GSI	获取价格	165 BGA
GS8662T19BD-450I	GSI	获取价格	165 BGA
GS8662T19BGD-300	GSI	获取价格	165 BGA
GS8662T19BGD-300I	GSI	获取价格	165 BGA
GS8662T19BGD-333	GSI	获取价格	165 BGA

与GS8662T19BD-375相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

88
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

79

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GS8662T19BD-375

GS8662T19BD-375 技术参数

GS8662T19BD-375 数据手册

与GS8662T19BD-375相关器件

与GS8662T19BD-375相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GS8662T19BD-375

GS8662T19BD-375 技术参数

GS8662T19BD-375 数据手册

与GS8662T19BD-375相关器件

与GS8662T19BD-375相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？