是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LBGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 75497472 bit | 内存集成电路类型: | QDR SRAM |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8MX9 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 13 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8662Q09BD-333 | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q09BD-333I | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q09BD-357 | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q09BD-357I | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q09BGD-200 | GSI |
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72Mb SigmaQuad-IITM Burst of 2 SRAM | |
GS8662Q09BGD-200I | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q09BGD-250 | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q09BGD-250I | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q09BGD-300 | GSI |
获取价格 |
165 BGA | |
GS8662Q09BGD-300I | GSI |
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165 BGA |