是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.32 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 333 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | QDR SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8662Q08BD-357 | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q08BD-357I | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q08BGD-167 | GSI |
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Standard SRAM, 8MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-1 | |
GS8662Q08BGD-167I | GSI |
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Standard SRAM, 8MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-1 | |
GS8662Q08BGD-167IT | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 8MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-1 | |
GS8662Q08BGD-167T | GSI |
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Standard SRAM, 8MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-1 | |
GS8662Q08BGD-200 | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q08BGD-200I | GSI |
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165 BGA | |
GS8662Q08BGD-250 | GSI |
获取价格 |
165 BGA | |
GS8662Q08BGD-250I | GSI |
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QDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |