5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.42 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JEDEC-95代码： | TO-226AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GS8550TD | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A |
|
| GS8550TD/E6 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A |
|
| GS8550TD/E7 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A |
|
| GS8-6 | ETC |
获取价格 |
RING TONGUE TERMINAL Non-insulated DIN 46234 |
|
| GS864018GT-167 | GSI |
获取价格 |
4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
|
| GS864018GT-167I | GSI |
获取价格 |
4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
|
| GS864018GT-167IT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
|
| GS864018GT-167IV | GSI |
获取价格 |
4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
|
| GS864018GT-167IVT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 4MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
|
| GS864018GT-167V | GSI |
获取价格 |
4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
