是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.46 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 8.5 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS832018T-150T | GSI |
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暂无描述 | |
GS832018T-150V | GSI |
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2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs | |
GS832018T-150VT | GSI |
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Cache SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS832018T-166 | GSI |
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2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs | |
GS832018T-166I | GSI |
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2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs | |
GS832018T-166IT | GSI |
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Cache SRAM, 2MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS832018T-166IV | GSI |
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2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs | |
GS832018T-166IVT | GSI |
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Cache SRAM, 2MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
GS832018T-166V | GSI |
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2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs | |
GS832018T-166VT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 2MX18, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |