是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 5.5 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 2.5V SUPPLY | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX36 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8161E36BD-300 | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 5.3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
GS8161E36BD-300I | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 5.3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
GS8161E36BD-300IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 5.3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
GS8161E36BGD-150 | GSI |
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1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGD-150I | GSI |
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1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGD-150IV | GSI |
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1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGD-150IVT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-1 | |
GS8161E36BGD-150T | GSI |
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暂无描述 | |
GS8161E36BGD-150V | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs | |
GS8161E36BGD-150VT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-1 |