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GS71108TP-15I

更新时间： 2024-09-16 03:12:35
品牌 Logo 应用领域
GSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 271K
描述
128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM

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GS71108TP-15I 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP32,.46,32针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.71
Is Samacsys：N最长访问时间：15 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP32,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.015 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.085 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

GS71108TP-15I 数据手册

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GS71108TP-15I 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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