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GS1G

更新时间： 2024-09-30 15:17:23
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE /
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4页 209K
描述
SMA

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GS1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：400 V表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

GS1G 数据手册

 浏览型号GS1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GS1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GS1G的Datasheet PDF文件第4页 
RoHS  
GS1A THRU GS1M  
COMPLIANT  
Surface Mount General Purpose Rectifier  
Features  
● Low profile package  
● Ideal for automated placement  
● Glass passivated chip junction  
● High forward surge capability  
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
Typical Applications  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer  
and telecommunication.  
Mechanical Data  
●
ackage: DO-214AC (SMA)  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant, halogen-free  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
Cathode line denotes the cathode end  
Polarity:  
(T =25℃Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
GS1A  
GS1A  
50  
GS1B  
GS1B  
100  
GS1D  
GS1D  
200  
GS1G  
GS1G  
400  
GS1J  
GS1J  
600  
GS1K  
GS1K  
800  
GS1M  
GS1M  
1000  
700  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Device marking code  
V
V
V
V
A
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
RRM  
V
35  
70  
140  
280  
420  
560  
RMS  
V
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Maximum DC blocking Voltage  
DC  
Average rectified output current  
I
1.0  
O
@60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1)  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃  
Current squared time  
30  
IFSM  
A
60  
A2s  
℃
I2t  
3.735  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃  
T
stg  
Storage temperature  
Junction temperature  
T
j
℃
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
GS1A  
GS1B  
GS1D  
GS1G  
1.1  
GS1J  
GS1K  
GS1M  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
Maximum instantaneous  
forward voltage  
V
I
=1.0A  
V
F
FM  
T =25℃  
5
j
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage  
I
μA  
pF  
R
100  
T =125℃  
j
Measured at 1MHz and  
Applied Reverse  
Typical junction capacitance  
Cj  
8
Voltage of 4.0 V.D.C  
1 / 4  
S-S048  
Rev. 2.7, 19-Sep-22  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
1234

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