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GS150TC25110 PDF预览

GS150TC25110

更新时间： 2024-11-07 07:02:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
Gallium Arsenide Schottky Rectifier

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GS150TC25110 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
包装说明：R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料：GALLIUM ARSENIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F6最大非重复峰值正向电流：20 A
元件数量：3相数：1
端子数量：6最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：250 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GS150TC25110 数据手册

 浏览型号GS150TC25110的Datasheet PDF文件第2页 
GS150TA25110  
GS150TI25110  
Gallium Arsenide Schottky Rectifier  
GS150TC25110  
= 10 A  
IDC  
Isolated Surface Mount Package  
Preliminary Data  
VRRM = 250 V  
CJunction = 18 pF  
VRSM VRRM  
Type  
Part  
Configuration  
V
V
Number  
Triple  
250 250  
250 250  
250 250  
GS150  
GS150  
GS150  
TI25110  
TC25110  
TA25110  
Independent  
Triple  
Common cathode  
Triple  
Common anode  
C
A1  
A2  
A3  
A1  
A2  
A3  
A1  
A2  
A3  
C
1
C
1
1
TRIPLE  
COMMON  
ANODE  
(TA)  
TRIPLE  
COMMON  
CATHODE  
(TC)  
TRIPLE  
IND EPEN DEN T  
(TI)  
C
2
C
C
2
2
C
C
A = Anode, C = Cathode  
3
3
C
3
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
●
IFAV  
IFAV  
TC = 25°C; DC  
TC = 90°C; DC  
10  
9
A
Low forward voltage  
●
A
Very high switching speed  
Trr <15ns  
IFSM  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
20  
A
●
Low junction capacity of GaAs  
- low reverse current peak at turn off  
TVJ  
Tstg  
-55...+175  
-55...+150  
°C  
°C  
●
Soft turn off  
●
Temperature independent switching  
Ptot  
Isolation  
Isolation  
TC = 25°C (20W/device)  
(Substrate to Case)  
(Diode to Diode)  
25  
>2500  
>600  
W
V
V
behaviour  
●
High temperature operation capability  
●
Epoxy meets UL 94V-0  
Applications  
Symbol  
IR ꢀ  
VF  
Conditions  
Characteristic Values  
●
MHz switched mode power supplies  
typ.  
max.  
(SMPS)  
●
High frequency converters  
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 125°C VR = VRRM  
1.3  
mA  
mA  
●
Resonant converters  
1.3  
IF = 5 A;  
IF = 5 A;  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
1.3  
1.2  
V
V
1.5  
CJ  
VR = 100 V; TVJ = 125°C  
18  
pF  
RthJC  
Weight  
6
2
K/W  
g
Pulse test: ꢀPulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
Data per diode unless otherwise specified  
IXYSRF reserves the right to change limits, conditions and dimensions  
© 2003 IXYSRF/Directed Energy, Inc.  
IXYSRF/Directed Energy, Inc.  
IXYS Semiconductor GmbH  
2401 Research Blvd. Ste 108, Fort Collins, CO 80526  
Phone: (970) 493-1901, Fax: 970-493-1903, www.directedenergy.com  
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany  
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627  
12

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