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GQM2195C2E120FB12D

更新时间： 2024-11-21 02:57:19
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恩智浦 - NXP 电容器
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描述
RF Power GaN Transistor

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Document Number: A3G26H502W17S  
Rev. 1, 01/2021  
NXP Semiconductors  
Technical Data  
RF Power GaN Transistor  
This 80 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for  
cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth  
capability covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.  
A3G26H502W17S  
This part is characterized and performance is guaranteed for applications  
operating in the 2496 to 2690 MHz band. There is no guarantee of performance  
when this part is used in applications designed outside of these frequencies.  
2496–2690 MHz, 80 W Avg., 48 V  
AIRFAST RF POWER GaN  
TRANSISTOR  
2600 MHz  
Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Characterization Performance:  
DD = 48 Vdc, IDQA = 370 mA, VGSB = –4.6 Vdc, Pout = 80 W Avg., Input  
Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.(1)  
V
G
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
2496 MHz  
2590 MHz  
2690 MHz  
(dB)  
14.4  
15.0  
14.8  
(%)  
48.4  
49.3  
51.2  
7.8  
8.2  
7.8  
–32.6  
–35.2  
–34.0  
NI--780S--4S2S  
1. All data measured in fixture with device soldered to heatsink.  
Features  
6
5
VBW  
A
High terminal impedances for optimal broadband performance  
Advanced high performance in--package Doherty  
Improved linearized error vector magnitude with next generation signal  
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating  
conditions  
Carrier  
RF /V  
1
2
RF /V  
outA DSA  
inA GSA  
RF /V  
inB GSB  
RF /V  
outB DSB  
4
3
Peaking  
VBW  
1.  
B
(Top View)  
Figure 1. Pin Connections  
2020–2021 NXP B.V.  
1234567...9

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