Datasheet > GP30G-AP

GP30G-AP

更新时间： 2024-01-17 12:45:18

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	398K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GP30G-AP 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.56	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	125 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向电流：	5 µA	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

GP30G-AP 数据手册

M C C

GP30A

THRU

GP30M

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

3.0 Amp Glass

Passivated Junction

Rectifiers

RoHS Compliant. See ordering information)

High temperature metallurgically bonded construction

Glass passivated cavity-free junction

•

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Typical I less than 0.1uA

50 to 1000 Volts

•

Marking : type number

DO-201AD

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55^OC to +150^OC

Storage Temperature: -55^OC to +150^OC

Typical Thermal Resistance: 20^OC/W Junction to Lead

Maximum

Recurrent

Maximum DC

Blocking

MCC

Maximum

Part Number

Peak Reverse

Voltage

RMS Voltage

Voltage

GP30A

GP30B

GP30D

GP30G

GP30J

GP30K

GP30M

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Cathode

Mark

140V

280V

420V

560V

700V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Maximum Average

Forward Current

Peak Forward Surge

Current

I_F(AV)

3.0 A

T_A= 55^OC

I_FSM

125A

8.3ms, half sine

DIMENSIONS

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

GP30A -30B

INCHES

MIN

.287

.189

.048

MIN

7.30

4.80

1.20

DIM

MAX

.374

.208

.052

---

MAX

9.50

5.30

1.30

---

NOTE

V_F

I_R

1.2V

1.1V

I_FM= 3.0A;

T_A=25^OC

GP30D -30M

1.000

25.40

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

5.0uA

100uA T_A=150^OC

Typical Junction

Capacitance

C_J

40pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 5

2008/01/01

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与GP30G-AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GP30G-B	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
GP30G-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GP30GE3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTI
GP30G-E3/100	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30G-E3/4H	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30G-E3/53	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30G-E3/56	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30G-E3/58	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30G-E3/60	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30G-E3/62	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

与GP30G-AP相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

5
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

6
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GP30G-AP

GP30G-AP 技术参数

GP30G-AP 数据手册

与GP30G-AP相关器件

与GP30G-AP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GP30G-AP

GP30G-AP 技术参数

GP30G-AP 数据手册

与GP30G-AP相关器件

与GP30G-AP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？