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GP30B-AP

更新时间： 2024-09-23 18:52:51

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	398K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD

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GP30B-AP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	5 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

GP30B-AP 数据手册

M C C

GP30A

THRU

GP30M

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

3.0 Amp Glass

Passivated Junction

Rectifiers

RoHS Compliant. See ordering information)

High temperature metallurgically bonded construction

Glass passivated cavity-free junction

•

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Typical I less than 0.1uA

50 to 1000 Volts

•

Marking : type number

DO-201AD

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55^OC to +150^OC

Storage Temperature: -55^OC to +150^OC

Typical Thermal Resistance: 20^OC/W Junction to Lead

Maximum

Recurrent

Maximum DC

Blocking

MCC

Maximum

Part Number

Peak Reverse

Voltage

RMS Voltage

Voltage

GP30A

GP30B

GP30D

GP30G

GP30J

GP30K

GP30M

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Cathode

Mark

140V

280V

420V

560V

700V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Maximum Average

Forward Current

Peak Forward Surge

Current

I_F(AV)

3.0 A

T_A= 55^OC

I_FSM

125A

8.3ms, half sine

DIMENSIONS

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

GP30A -30B

INCHES

MIN

.287

.189

.048

MIN

7.30

4.80

1.20

DIM

MAX

.374

.208

.052

---

MAX

9.50

5.30

1.30

---

NOTE

V_F

I_R

1.2V

1.1V

I_FM= 3.0A;

T_A=25^OC

GP30D -30M

1.000

25.40

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

5.0uA

100uA T_A=150^OC

Typical Junction

Capacitance

C_J

40pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 5

2008/01/01

12 3 4

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与GP30B-AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GP30B-B	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
GP30B-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
GP30BE3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectif
GP30B-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectif
GP30B-E3/4F	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30B-E3/4H	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30B-E3/60	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30B-E3/62	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30B-E3/64	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
GP30B-E3/90	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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