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GP10T

更新时间： 2024-09-24 10:43:55
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描述
SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:1300V CURRENT: 1.0A

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GP10T 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：PLASTIC, DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.06
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：1300 V最大反向恢复时间：2 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

GP10T 数据手册

 浏览型号GP10T的Datasheet PDF文件第2页 
GP10T  
SINTERED GLASS JUNCTION  
PLASTIC RECTIFIER  
VOLTAGE:1300V  
CURRENT: 1.0A  
DO-41\DO-204AL  
FEATURE  
High temperature metallurgically bonded construction  
Sintered glass cavity free junction  
Capability of meeting environmental standard of  
MIL-S-19500  
High temperature soldering guaranteed  
350°C /10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension  
Operate at Ta =55°C with no thermal run away  
Typical Ir<0.1µA  
MECHANICAL DATA  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity: color band denotes cathode  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,  
for capacitive load, derate current by 20%)  
SYMBOL  
GP10T  
units  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
1300  
910  
V
V
V
Maximum DC blocking Voltage  
1300  
Maximum Average Forward Rectified Current  
3/8”lead length  
If(av)  
1.0  
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A  
Maximum full load reverse current full cycle  
Average at 75°C  
Ifsm  
Vf  
25.0  
1.3  
A
V
Ir(av)  
30.0  
µA  
5.0  
50.0  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =125°C  
Ir  
µA  
Typical Reverse Recovery Time  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
Trr  
Cj  
2.0  
µS  
PF  
5.0  
Rth(ja)  
Tstg, Tj  
55.0  
°C /W  
°C  
Storage and Operating Junction Temperature  
Note:  
-65 to +150  
1. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8”lead length, P.C. Board Mounted  
Rev.A1  
www.gulfsemi.com  
12

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与GP10T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GP10T/70 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
GP10TE VISHAY

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 		GP10TE, D204-2
GP10T-E3/54 VISHAY

获取价格

 		DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL
GP10T-E3/73 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL
GP10THE3/54 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL
GP10T-HE3/54 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN,
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 		DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL
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 		DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL
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 		DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL

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