U05GU4B48

更新时间： 2024-01-05 13:19:12

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固锝 - GOOD-ARK		整流二极管桥式整流二极管
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描述
SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE RECTIFIER STACK

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U05GU4B48 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	相数：	1
端子数量：	4	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

U05GU4B48 数据手册

U05GU4B48

SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE RECTIFIER STACK

Reverse Voltage -

Forward Current -

0.5 Ampere

400 Volts

Application: TELCOMMUNICATION APPLICATIONS

Repetitive peak reverse voltage: V_RRM=400Volts

Average forward current: I_O=0.5A (T_A=47

Glass passivated cavity-free junction

Dual in line type

)

Plastic mold package

Low loss type

Maximum Ratings (T =25 )

Characteristics

Symbols

Ratings

400

Units

Volts

Repetitive peak reverse voltage

RRM

0.5

Average output rectified current

Amp

0.8 *

Peak one cycle surge forward current

(Non Repetitive)

30 (50Hz)

33 (60Hz)

Amps

FSM

Junction temperature

-40 to 150

Storage temperature range

stg

Symbol

DeviceType

U05GU4B48

Electrical Characteristics (T =25 )

Characteristics

Symbols

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

0.65

100

Units

Volt

Peak forward voltage (Note)

=20mA

Repetitive peak reverse current

(Note)

=Rated

RRM

130

Thermal resistance

Junction to Ambient

th(J-A)

75 *

Note: A value of on cell.

* On alumina substrate

12 3

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