5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GN12030E | RENESAS |
获取价格 |
30A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
|
| GN12030E | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
| GN12050E | RENESAS |
获取价格 |
50A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
|
| GN12050E | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
| GN13 | EIC |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
|
| GN13 | SYNSEMI |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON SURFACE MOUNT |
|
| GN13 | GOOD-ARK |
获取价格 |
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
|
| GN-1-3800.12OHM0.5%E12 | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 0.12ohm, 0.5% +/-Tol, -90,90ppm/Cel, |
|
| GN-1-3800.135OHM0.5%E70 | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 0.135ohm, 0.5% +/-Tol, -90,90ppm/Cel, |
|
| GN-1-3800.143OHM0.5%E12 | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 0.143ohm, 0.5% +/-Tol, -90,90ppm/Cel, |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
