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GMM3X60-015X2

更新时间： 2024-11-21 14:56:27

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	319K
描述
这些Mosfet模块系列提供SixPack配置，具有低导通电阻的快速切换沟槽Mosfet和坚固的续流二极管。

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GMM3X60-015X2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	57 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	元件数量：	6
端子数量：	24	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (984) Over Nickel (39)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

GMM3X60-015X2 数据手册

GMM3x60-015X2

V_DSS

I_D25

= 150 V

= 50 A

Three phase full Bridge

with Trench MOSFETs

in DCB isolated high current package

R_{DSon typ.}= 19 mW

L1+

L2+

L3+

L1-

L2-

L3-

Applications

MOSFETs

AC drives

• in automobiles

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

150

- electric power steering

- starter generator

• in industrial vehicles

- propulsion drives

- fork lift drives

V_GS

continous

transient

I_D25

I_D90

I_D110

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 110°C

• in battery supplied equipment

I_F25

I_F90

I_F110

T_C= 25°C (diode)

T_C= 90°C (diode)

T_C= 110°C (diode)

150

Features

• MOSFETs in trench technology:

- low RDSon

- optimized intrinsic reverse diode

• package:

- high level of integration

- high current capability

- aux. terminals for MOSFET control

- terminals for soldering or welding

connections

- isolated DCB ceramic base plate

with optimized heat transfer

• Space and weight savings

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

R_DSon

on chip level at

V_GS= 10 V; I_D= 38 A

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= 20 V; I_D= 1 mA

V_DS= V_DSS; V_GS= 0 V

2.5

4.5

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

µA

0.5

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

0.2

µA

Q_g

Q_gs

Q_gd

V_GS= 10 V; V_DS= 75 V; I_D= 38 A

V_GS= 10 V; V_DS= 25 V; f = 1 MHz

C_iss

C_oss

C_rss

5800

490

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

120

100

inductive load

V_GS= 10 V; V_DS= 75 V

I_D= 38 A; R_G(on)= 39 W; R_G(off)= 4.7 W

T_J= 125°C

E_on

E_off

E_recoff

0.25

0.05

0.02

R_thJC

R_thJH

1.0 K/W

1.6 K/W

with heat transfer paste (IXYS test setup)

= I_D·(R_DS(on)+ 2R_{Pin to Chip})

1.3

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20170529c

1 - 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GMM3X60-015X2-SMD	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.024ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Me
GMM40DRMD	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 80POS 0.156
GMM40DRMD-S288	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 80POS 0.156
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