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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | HIGH SPEED SWITCH | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.68 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.12 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 60 V | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GMA01U | SANYO |
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Very High-Speed Switching, Bias Stabilizing Applications |
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| GMA01U-BT | ONSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.12A, Silicon |
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| GMA02 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Diode |
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| GMA02-AT1 | ONSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
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| GMA02-BT | ONSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
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| GMA05X | MURATA |
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CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 10; 16; 50V, SURFACE MOUNT, 0202, CHIP |
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| GMA05XB10J103KA01# | MURATA |
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 |
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| GMA05XB10J103MA01# | MURATA |
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 |
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| GMA05XB10J153KA01# | MURATA |
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 |
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| GMA05XB10J153MA01# | MURATA |
获取价格 |
民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信 |
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