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GM8050

更新时间： 2024-09-14 03:39:35

品牌	Logo	应用领域
GTM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	224K
描述
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

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GM8050 数据手册

GTM CORPORATION

Page : 1/2

GM8050

N P N E P I TA X I A L T R A N S I S T O R

Description

The GM8050 is designed for general purpose amplifier applications.

Package Dimensions

SOT-89

Millimeter

Min. Max.

Min.

4.4

Max.

4.6

4.25

1.70

1.50

2.60

1.20

3.00 REF.

1.50 REF.

4.05

1.50

1.30

2.40

0.89

0.40

1.40

0.35

0.52

1.60

0.41

5q TYP.

0.70 REF.

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25к

Parameter

Junction Temperature

Storage Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

Ratings

Unit

+150

Tstg

VCBO

VCEO

VEBO

-55 ~ +150

1.5

0.5

IB Base Current

Total Power Dissipation

Characteristics at Ta = 25к

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

IC=100uA

IC=2mA

BVCEO

BVEBO

ICBO

IE=100uA

VCB=35V

VEB=6V

100

0.5

1.2

IEBO

VCE(sat)

VBE(sat)

VBE(on)

Hfe1

IC=0.8A, IB=80mA

VCE=1V, IC=10mA

VCE=1V, IC=5mA

VCE=1V, IC=100mA

VCE=1V, IC=800mA

VCE=10V, IC=50mA

Hfe2

120

500

Hfe3

100

MHz

Classification Of hFE

Rank

hFE

120-200

160 - 300

250 - 500

GTM Product Specification

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