5秒后页面跳转
GM71C4400DR-60 PDF预览

GM71C4400DR-60

更新时间: 2024-02-07 06:44:35
品牌 Logo 应用领域
乐金电子 - LG 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 1494K
描述
1,048,576 Words x Bit Organization

GM71C4400DR-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP20/26,.36Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.42Is Samacsys:N
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP20/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
反向引出线:YES自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.08 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM71C4400DR-60 数据手册

 浏览型号GM71C4400DR-60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM71C4400DR-60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM71C4400DR-60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM71C4400DR-60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM71C4400DR-60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM71C4400DR-60的Datasheet PDF文件第7页 

与GM71C4400DR-60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GM71C4400DR-70 LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400DR-80 LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400DT LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400DT-60 LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400DT-70 LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400DT-80 LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400E LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400E-60 LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400E-70 LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization
GM71C4400E-80 LG

获取价格

1,048,576 Words x Bit Organization