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GM3401

更新时间: 2024-09-24 01:24:03
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桂微 - GSME /
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3页 377K
描述
SOT-23 Field Effect Transistors

GM3401 数据手册

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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GM3401  
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)  
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs  
P 沟道增强型 MOS 场效应管  
MAXIMUM RATINGS 最大額定值  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Max  
最大值  
Unit  
單位  
Drain-Source Voltage  
漏極-源極電壓  
BVDSS  
VGS  
ID  
-30  
+12  
-3.8  
-15  
V
V
A
A
Gate- Source Voltage  
栅極-源極電壓  
Drain Current (continuous)  
漏極電流-連續  
Drain Current (pulsed)  
漏極電流-脉冲  
IDM  
Total Device Dissipation  
總耗散功率  
P
1250  
mW  
D
T =25℃環境溫度爲 25℃  
A
TJ  
Junction 結溫  
150  
Solder Temperature/Solder Time  
焊接溫度/焊接時間  
T/t  
Tstg  
260/10  
/S  
Storage Temperature 儲存溫度  
-55to+150  
DEVICE MARKING 打標  
GM3401=B1  

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