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GK50PI60T5H

更新时间： 2024-09-14 17:15:39

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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11页	674K
描述
PIM IGBT-600V

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GK50PI60T5H 数据手册

GK50PI60T5H

IGBT 模块/IGBT Module

特性：

短路承受时间>10μs

低开关损耗

低饱和压降: V_{CE (sat)}= 1.80V @ I_C= 50A ,T_C=25℃

100% RBSOA 测试（2 倍额定电流）

低杂散电感

无铅模块，符合RoHS 要求

Features：

Short Circuit Rated >10μs

Low Saturation Voltage: V_{CE (sat)}= 1.80V @ I_C= 50A ,T_C=25℃

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

应用：

Applications：

工业变频器

Industrial Inverters

Servo Applications

伺服应用

IGBT, 逆变器/ IGBT,Inverter

最大额定值/ Maximum Rated Values

集电极-发射极电压

Collector-Emitter Blocking Voltage

门极－发射极电压

V_CES

600

±20

V_GES

Gate-Emitter Voltage

T_C= 80℃,

T_C= 25℃

集电极直流电流

I_C

Continuous Collector Current

100

集电极脉冲电流

Peak Collector Current Repetitive

短路承受时间

I_CM(1)

T_J= 150℃

100

>10

250

t_SC

μs

Short Circuit Withstand Time

T_C= 25℃

T_Jmax=150℃

单IGBT 最大耗散功率

Maximum Power Dissipation (IGBT)

P_D

www.njsme.com

Page 1 Rev. A

07/07/2019

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