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GK50PI60B9H

更新时间： 2024-11-22 17:15:31

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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11页	1469K
描述
PIM IGBT-600V

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GK50PI60B9H 数据手册

GK50PI60B9H

IGBT Module

Features：

Short Circuit Rated >10μs

Low Saturation Voltage: V_{CE (sat)}= 1.80V @ I_C= 50A ,T_C=25℃

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：

Industrial Inverters

Servo Applications

IGBT, Inverter

Maximum Rated Values (T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

600

±20

T_C= 80℃,

T_C= 25℃

T_J= 150℃

I_C

Continuous Collector Current

100

>10

300

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

μs

T_C= 25℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

_Jmax=150℃

www.njsme.com

Page 1 Rev. A

07/07/2019

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