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GI750-E3/54

更新时间： 2024-01-29 01:35:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 83K
描述
DIODE 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Rectifier Diode

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GI750-E3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.68其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：2.5 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

GI750-E3/54 数据手册

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GI750, GI751, GI752, GI754, GI756, GI758  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
High Current Axial Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current, IR less than 0.1 μA  
• High forward current capability  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
P600  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters, and freewheeling diodes application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
6.0 A  
Note  
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,  
800 V  
VRRM  
•
These devices are not AEC-Q101 qualified.  
IFSM  
IR  
400 A  
5.0 μA  
MECHANICAL DATA  
Case: P600, void-free molded epoxy body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VF  
0.9 V, 0.95 V  
150 °C  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
P600  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Single die  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL GI750  
GI751  
100  
70  
GI752  
200  
GI754  
400  
GI756  
600  
GI758  
800  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
60  
V
V
V
V
140  
280  
420  
560  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum non-repetitive peak reverse voltage  
100  
120  
200  
400  
600  
800  
VRSM  
240  
480  
720  
1200  
TA =60 °C, PCB mounting (fig. 1)  
6.0  
22  
Maximum average  
forward rectified  
current at  
IF(AV)  
A
TL = 60 °C,0.125" (3.18 mm)  
lead length (fig. 2)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
400  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 50 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL GI750  
GI751  
GI752  
GI754  
GI756  
GI758  
0.95  
UNIT  
6.0 A  
0.90  
Maximum instantaneous  
forward voltage at  
VF  
V
100 A  
1.25  
1.30  
TA = 25 °C  
5.0  
1.0  
μA  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
IR  
T
A = 100 °C  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
rr = 0.25 A  
4.0 V, 1 MHz  
mA  
Typical reverse recovery time  
Typical junction capacitance  
trr  
2.5  
μs  
I
CJ  
150  
pF  
Revision: 01-Aug-13  
Document Number: 88627  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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GI750-E3/54 替代型号

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