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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-201AD |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-201AD |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -50 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向恢复时间： | 2 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GI5706 | GTM |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| GI60L02 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI60N03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI60T03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI6679 | GTM |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI70L02 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GI70N03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI70T03 | GTM |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| GI750 | VISHAY |
获取价格 |
HIGH CURRENT PLASTIC RECTIFIER |
|
| GI750/100 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
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