GI250-4HE3/54

更新时间： 2024-02-10 11:20:21

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威世 - VISHAY		信号二极管高压
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High Voltage Glass Passivated Junction Rectifier

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GI250-4HE3/54 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	3.5 V
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	15 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	4000 V	最大反向恢复时间：	2 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GI250-4HE3/54 数据手册

GI250-1 thru GI250-4

Vishay General Semiconductor

High Voltage Glass Passivated Junction Rectifier

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability

application

• Cavity-free glass-passivated junction

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder dip 260 °C, 40 s

*Glass Encapsulation

technique is covered by

Patent No. 3,996,602,

brazed-lead assembly

to Patent No. 3,930,306

DO-204AL (DO-41)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in rectification of high voltage power supplies,

inverters, converters and freewheeling diodes

application.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

I_R

0.25 A

1000 V to 4000 V

15 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-204AL, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

5.0 µA

V_F

3.5 V

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

T_Jmax.

175 °C

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

GI250-1

1000

700

GI250-2

2000

GI250-3

3000

GI250-4

4000

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

1400

2100

2800

Maximum DC blocking voltage

V_DC

1000

2000

3000

4000

Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm) lead

length at T_A= 75 °C

I_F(AV)

0.25

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 175

°C

Document Number: 88625

Revision: 03-Apr-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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