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GI1001/54

更新时间： 2024-01-21 00:25:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 346K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM),

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GI1001/54 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.975 V最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：1 A最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NOBase Number Matches：1

GI1001/54 数据手册

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GI1001 / 1002 / 1003 / 1004  
VISHAY  
Vishay Semiconductors  
Ultra Fast Sinterglass Diode  
Features  
• High temperature metallurgically bonded con-  
struction  
• Glass passivated cavity-free junction  
• Superfast recovery time for high efficiency  
• Low forward voltage, high current capability  
• Hermetically sealed package  
• High surge capability  
17031  
Mechanical Data  
Case: DO-204AP Sintered glass case  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Mounting Position: Any  
Weight: approx. 560 mg  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
Package  
GI1001  
GI1002  
GI1003  
GI1004  
V
V
V
V
= 50 V  
DO-204AP(G-1)  
DO-204AP(G-1)  
DO-204AP(G-1)  
DO-204AP(G-1)  
RRM  
RRM  
RRM  
RRM  
= 100 V  
= 150 V  
= 200 V  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
amb  
Test condition  
Part  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
V
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
see electrical characteristics  
GI1001  
V
= V  
R
RRM  
GI1002  
GI1003  
GI1004  
V
V
V
= V  
= V  
= V  
100  
150  
200  
1.0  
V
V
V
A
R
R
R
RRM  
RRM  
RRM  
Maximum average forward  
rectified current  
0.375 " (9.5 mm) lead length at  
I
F(AV)  
T = 75 °C  
L
Peak forward surge current  
8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
I
30  
A
FSM  
(JEDEC Method), at T = 75 °C  
L
Operating junction and storage  
temperature range  
T , T  
- 55 to + 175  
°C  
J
STG  
Document Number 86073  
Rev. 1.3, 11-Aug-04  
www.vishay.com  
1
123456

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