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GFCF50

更新时间： 2022-11-06 02:48:39

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1页	99K
描述
N Channel high voltage, Power MOSFET

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GFCF50 数据手册

Gunter Semiconductor GmbH

GFCF50

N Channel high voltage, Power MOSFET

Chip Specification

General Description:

* Advanced Process Technology

* Dynamic dV/dt Rating

* 150℃ Operating Temperature

* Fast Switching

* Fully Avalanche Rated

*High breakdown voltage

Mechanical Data:

D29

Dimension

Thickness:

Metallization:

Top :

6.50mm x 7.32mm

480 µm

:

Al

Backside :

CrNiAg / Au

Suggested Bonding Conditions:

Die Mounting: Solder Perform

95/5 PbSn or 92.5./2.5/5 PbAgIn

Source Bonding Wire:

10 mil Al

Absolute Maximum Rating

@Ta=25℃

Characteristics

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Static Drain-to - Source On-resistance

Continuous Drain current ( in target package)

Continuous Drain current ( in target package)

Operation Junction

Symbol

V(BR)DSS

RDS(ON)

ID@25℃

ID@100℃

Tj

Limit

900

Unit

V

Test Conditions

VGS=0V, ID=250µΑ

VGS=10V, ID=4Α

VGS=10V

1.6

Ω

6.7

A

4.2

A

VGS=10V

-55~150

-55~150

℃

℃

Storage Temperature

TSTR

Target Device: IRFPF50

TO-247AC

PD

190

W

@Tc=25℃

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GFCG50	GSG	N Channel high voltage, Power MOSFET	获取价格
GFCL0C-P02QC00-0000	ETC	CONN RCPT FMALE 2POS GOLD SOLDER	获取价格
GFCL0C-P03QC00-0000	ETC	CONN RCPT FMALE 3POS GOLD SOLDER	获取价格

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