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GF2304

更新时间： 2024-01-21 08:35:25

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威世 - VISHAY		/
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5页	96K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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GF2304 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

GF2304 数据手册

GF2304

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

30V R 0.117Ω I 2.5A

DS(ON) D

TO-236AB (SOT-23)

.118 (3.0)

.110 (2.8)

0.031 (0.8)

.020 (0.51)

.015 (0.37)

Top View

0.035 (0.9)

Pin Configuration

1. Gate

0.079 (2.0)

2. Source

3. Drain

0.037 (0.95)

Dimensions in inches

and (millimeters)

.041 (1.03) .041 (1.03)

.035 (0.89) .035 (0.89)

Mounting Pad Layout

.098 (2.5)

.091 (2.3)

.020 (0.51) .020 (0.51)

.015 (0.37) .015 (0.37)

Mechanical Data

Features

Case: SOT-23 Plastic Package

Weight: approx. 0.008g

Marking Code: 04

• Advanced trench process technology

• High density cell design for ultra-low on-resistance

• Popular SOT-23 package with copper lead-frame

for superior thermal and electrical capabilities

• Compact and low profile

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source-Voltage

Continuous Drain Current T_J= 150°C T_A= 25°C

Pulsed Drain Current⁽¹⁾

2.5

I_DM

Maximum Power Dissipation⁽²⁾

T_A= 25°C

T_A= 70°C

1.25

0.80

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

Maximum Junction-to-Ambient Thermal Resistance⁽²⁾

T_J, T_stg

R_θJA

–55 to +150

100

°C

°C/W

Notes:

(1) Pulse width limited by maximum junction temperature.

(2) Surface mounted on FR4 board, (1” x 1”, 2oz. Cu)

5/3/01

12 3 4 5

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