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GE28F800B3TA70

更新时间： 2024-11-25 19:41:39
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
64页 563K
描述
Flash, 512KX16, 70ns, PBGA48, VFBGA-48

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GE28F800B3TA70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：VFBGA-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.61最长访问时间：70 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e0
长度：7.91 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,15
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA45,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：1.8/3.6,3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
部门规模：4K,32K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：6.5 mm
Base Number Matches：1

GE28F800B3TA70 数据手册

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3-Volt Advanced Boot Block Flash  
Memory  
28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3  
Datasheet  
Product Features  
• Flexible SmartVoltage Technology  
—2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase  
—12 V VPP Fast Production Programming  
• Intel® Flash Data Integrator Software  
—Flash Memory Manager  
—System Interrupt Manager  
—Supports Parameter Storage, Streaming  
Data (e.g., Voice)  
• 1.65 V–2.5 V or 2.7 V–3.6 V I/O Option  
—Reduces Overall System Power  
• Extended CyclingCapability  
—Minimum 100,000 Block Erase Cycles  
Guaranteed  
• High Performance  
—2.7 V–3.6 V: 70 ns Max Access Time  
• Optimized Block Sizes  
—Eight 8-KB Blocks for Data,Top or  
Bottom Locations  
• Automatic Power Savings Feature  
—Typical ICCS after Bus Inactivity  
• Standard Surface Mount Packaging  
—48-Ball CSP Packages  
—Up to One Hundred Twenty-Seven 64-  
KB Blocks for Code  
—40- and 48-Lead TSOP Packages  
• Block Locking  
—VCC-Level Control through WP#  
• Density and Footprint Upgradeable for  
common package  
• Low Power Consumption  
—9 mA Typical Read Current  
—8-, 16-, 32- and 64-Mbit Densities  
• ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash  
• Absolute Hardware-Protection  
—VPP = GND Option  
Technology  
—16 and 32-Mbit Densities  
—VCC Lockout Voltage  
• ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology  
—16-, 32- and 64-Mbit Densities  
• Extended Temperature Operation  
—–40 °C to +85 °C  
• ETOX ™ VI (0.25µm) Flash Technology  
—8-, 16-, and 32-Mbit Densities  
• Automated Program and Block Erase  
—Status Registers  
• The x8 option not recommended for new  
designs  
The Intel® 3-Volt Advanced Boot Block flash memory, manufactured on Intel’s latest 0.13 µm  
and 0.18 µm technologies, represent a feature-rich solution at overall lower system cost. The 3-  
Volt Advanced Boot Block Flash Memory products in x16 will be available in 48-lead TSOP and  
48-ball CSP packages. The x8 option of this product family will be available only in 40-lead  
TSOP and 48-ball µBGA* packages. Additional information on this product family can be  
obtained by accessingIntel’s website at: http://www.intel.com/design/flash.  
Notice: This specification is subject to change without notice. Verify with your local Intel sales  
office that you have the latest data sheet before finalizinga design.  
Order Number: 290580-016  
April 2002  
1234567...64

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