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GE28F800B3BA90

更新时间： 2024-11-24 21:55:03

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英特尔 - INTEL		/
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描述
3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory

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GE28F800B3BA90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	7.91 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	8,15
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA45,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8/3.6,3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	部门规模：	4K,32K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	6.5 mm
Base Number Matches：	1

GE28F800B3BA90 数据手册

3 Volt Advanced Boot Block Flash

Memory

28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3

Preliminary Datasheet

Product Features

■ Flexible SmartVoltage Technology

—2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase

—12 V V_PPFast Production Programming

■ 2.7 V or 1.65 V I/O Option

—Reduces Overall System Power

■ High Performance

■ Intel^®Flash Data Integrator Software

—Flash Memory Manager

—System Interrupt Manager

—Supports Parameter Storage, Streaming

Data (e.g., Voice)

■ Extended Cycling Capability

—Minimum 100,000 Block Erase Cycles

Guaranteed

—2.7 V–3.6 V: 70 ns Max Access Time

■ Optimized Block Sizes

■ Automatic Power Savings Feature

—Typical I_CCSafter Bus Inactivity

■ Standard Surface Mount Packaging

—48-Ball CSP Packages

—Eight 8-KB Blocks for Data,Top or

Bottom Locations

—Up to One Hundred Twenty-Seven 64-

KB Blocks for Code

■ Block Locking

—40- and 48-Lead TSOP Packages

—V_CC-Level Control through WP#

■ Low Power Consumption

—9 mA Typical Read Current

■ Absolute Hardware-Protection

—V_PP= GND Option

■ Density and Footprint Upgradeable for

common package

—4-, 8-, 16-, 32- and 64-Mbit Densities

■ ETOX™ VII (0.18 µ) Flash Technology

—28F160/320/640B3xC

—4-, 8-, 16-, and 32-Mbit also exist on

ETOX™ V (0.4µ) and/or ETOX ™ VI

(0.25µ) Flash Technology

—V_CCLockout Voltage

■ Extended Temperature Operation

—–40 °C to +85 °C

■ x8 not recommended for new designs

■ Automated Program and Block Erase

—Status Registers

■ 4-Mbit density not recommended for new

designs

The 3 Volt Advanced Boot Block flash memory, manufactured on Intel’s latest 0.18 µm

technology, represents a feature-rich solution at overall lower system cost. The 3 Volt Advanced

Boot Block flash memory products in x16 will be available in 48-lead TSOP and 48-ball CSP

packages. The x8 option of this product family will only be available in 40-lead TSOP and 48-

ball µBGA* packages. Additional information on this product family can be obtained by

accessing Intel’s website at: http://www.intel.com/design/flash.

Notice: This document contains preliminary information on new products in production. The

specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that

you have the latest datasheet before finalizing a design.

Order Number: 290580-012

October 2000

12 3 4 5 6 7...58

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GE28F800B3TA70	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 70ns, PBGA48, VFBGA-48
GE28F800B3TA70	INTEL	获取价格	Flash, 512KX16, 70ns, PBGA48, VFBGA-48
GE28F800B3TA90	INTEL	获取价格	3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F800C3BA70	INTEL	获取价格	Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
GE28F800C3BA90	INTEL	获取价格	Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
GE28F800C3BC70	INTEL	获取价格	Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
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