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GE28F800B3BA70

更新时间： 2024-09-25 15:33:03
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
71页 1152K
描述
Flash, 512KX16, 70ns, PBGA48, VFBGA-48

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GE28F800B3BA70 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.61
最长访问时间：70 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：7.91 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：6.5 mmBase Number Matches：1

GE28F800B3BA70 数据手册

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Intel® Advanced Boot Block Flash  
Memory (B3)  
28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3  
Datasheet  
Product Features  
• Flexible SmartVoltage Technology  
—2.7 V – 3.6 V read/program/erase  
• Intel® Flash Data Integrator Software  
—Flash Memory Manager  
—12 V V fast production programming  
—System Interrupt Manager  
PP  
—Supports parameter storage, streaming  
data (for example, voice)  
• 1.65 V – .5 V or 2.7 V – 3.6 V I/O option  
—Reduces overall system power  
• Extended Cycling Capability  
—Minimum 100,000 block erase cycles  
• High Performance  
—2.7 V – 3.6 V: 70 ns max access time  
• Automatic Power Savings Feature  
• Optimized Block Sizes  
—Eight 8-KB blocks for data, top or  
bottom locations  
—Typical I  
after bus inactivity  
CCS  
• Standard Surface Mount Packaging  
—48-Ball CSP packages  
—Up to 127 x 64-KB blocks for code  
—40-Lead and 48-Lead TSOP packages  
• Block Locking  
—V -level control through Write Protect  
• Density and Footprint Upgradeable for  
common package  
CC  
WP#  
—8-, 16-, 32-, and 64-Mbit densities  
• Low Power Consumption  
—9 mA typical read current  
• ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash  
Technology  
• Absolute Hardware-Protection  
—16-Mbit and 32-Mbit densities  
—V = GND option  
PP  
• ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology  
—V lockout voltage  
CC  
—16-, 32-, and 64-Mbit densities  
• Extended Temperature Operation  
—–40 °C to +85 °C  
• ETOX ™ VI (0.25µm) Flash Technology  
—8-, 16-, and 32-Mbit densities  
• Automated Program and Block Erase  
—Status registers  
• Bo not use the x8 option for new designs  
The Intel® Advanced Boot Block Flash Memory (B3) device, manufactured on the Intel 0.13 µm  
and 0.18 µm technologies, is a feature-rich solution at a low system cost. The B3 device in x16 is  
available in 48-lead TSOP and 48-ball CSP packages. The x8 option of this product family is  
available only in 40-lead TSOP and 48-ball µBGA* packages. For additional information about  
this product family, see the Intel website: http://www.intel.com/design/flash.  
Notice: This specification is subject to change without notice. Verify with your local Intel sales  
office that you have the latest datasheet before finalizing a design.  
Order Number: 290580, Revision: 020  
18 Aug 2005  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GE28F800B3BA90 INTEL

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 		3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F800B3TA70 NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 70ns, PBGA48, VFBGA-48
GE28F800B3TA70 INTEL

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